Unsere digitale, vernetze Welt wird von wichtigen neuen Technologien definiert: Künstliche Intelligenz, 5G, Virtuelle Realität, und integrierte Cloud-Services sind einige davon. Wir haben bereits jetzt über 40 Milliarden vernetzte Endgeräte, welche zunehmend auf verteilte Rechenleistung und Datenspeicherung angewiesen sind. Für die Energie- und Kosteneffizienz ist es zwingend erforderlich, dass die Größe von Transistoren und Mikrochips weiter verkleinert wird. Diese Anforderungen werden durch die Einführung modernster Lithographie mit extrem ultravioletter Strahlung (EUV) realisiert. Durch den Einsatz von Hochleistungsbelichtungssystemen bei 13.5 Nanometer Wellenlänge können dreidimensionale integrierte Schaltkreise auf der Skala weniger Nanometer realisiert werden. Hierbei müssen extreme Genauigkeit und Geschwindigkeit erreicht werden, jedoch scheitert es an entsprechend genauen und schnellen Messsystemen, um die Masken- und Chipqualität zu prüfen.
Ziele und Vorgehen
Verfahren zur EUV-basierten Prozesskontrolle versprechen dieses Problem zu lösen und die Produktion von schnelleren und kompakteren Schaltelementen mit weniger Ausschuss und höherer Qualität zu ermöglichen. Ziel des MEGA-EUV Projektes ist die Demonstration der leistungsstärksten kohärenten Table-top EUV-Quelle bei einer Zielwellenlänge von 13.5 Nanometern. Insbesondere soll experimentell demonstriert werden, wie dadurch eine bis zu 1000-fache Steigerung des Durchsatzes in der Inspektion von EUV-Lithographie hergestellten Mikrochips erzielt werden kann. Hierzu wird modernste Hochleistungs-Lasertechnologie unter Einsatz innovativer Methoden weiterentwickelt und eingesetzt.
Innovation und Perspektiven
Das MEGA-EUV-Projekt verspricht die Eröffnung komplett neuer Parameterbereiche für Ultrakurzpuls- und EUV-Laser mit vielversprechenden Anwendungsfeldern in der Halbleiterproduktion, der Materialbearbeitung, der Medizintechnik sowie für zahlreiche wissenschaftliche Felder wie Mikroskopie und ultraschnelle Optik.
