Die EUV-Lithografie wird als maßgebliche technologische Innovation für die Halbleiterproduktion betrachtet. Derzeit basieren die verwendeten EUV- Quellen auf CO2-Hochleistungslasersystemen. Die Roadmap der Halbleiterindustrie erfordert jedoch eine signifikante Skalierung der EUV-Leistung bei gleichzeitig geringerer Komplexität und Kosten.
Ziele und Vorgehen
Ziel des Vorhabens ist die Erarbeitung der Grundlagen für eine neue Drivelasertechnologie, um die starke, geopolitisch relevante Position in Europa und Deutschland in der EUV-Lithografie zu halten und auszubauen. Dazu werden verschiedene Konzepte für einen Festkörperlaser-basierten 2μm-Drivelaser evaluiert. Basierend auf diesem Technologievergleich werden abschließend prototypische Module für kohärente und spektrale Strahlkombination entwickelt und getestet. Somit werden wesentliche Technologien für das neue Konzept erforscht, technologische Limitierungenidentifiziert und die Machbarkeit des Ansatzes sowohl theoretisch als auch experimentell demonstriert.
Innovation und Perspektiven
Aktuelle numerische und experimentelle Studien zeigen, dass eine Drivelasertechnologie basierend auf Festkörperlasern bei einer Wellenlänge von 2μm die Gesamteffizienz der EUV-Erzeugung signifikant steigern kann. Die Entwicklung entsprechender hocheffizienter, hochenergetischer und hochleistungsfähiger Festkörperlasern ist somit notwendig, um die EUV- Lithografie als zentrales Element der Halbleiterindustrie weltweit voranzutreiben. Der Verbund DriveEUV soll somit innerhalb der Projektlaufzeit die technologische Basis eines innovativen Drivelaserkonzeptes für die nächste Generation von EUV-Belichtungsanlagen schaffen.
